特許
J-GLOBAL ID:200903070007563616

冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 孝久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-361104
公開番号(公開出願番号):特開2003-162955
出願日: 2001年11月27日
公開日(公表日): 2003年06月06日
要約:
【要約】【課題】製造コストの低減を図ることができ、しかも、製造工程が比較的複雑でなく、冷陰極電界電子放出表示装置の大型化に容易に対処でき、低い閾値電位を有する冷陰極電界電子放出素子を提供する。【解決手段】冷陰極電界電子放出素子は、支持体10上に形成されたカソード電極11と、支持体10及びカソード電極11上に形成された絶縁層12と、絶縁層12上に形成されたゲート電極13と、ゲート電極13及び絶縁層12を貫通する開口部14A,14Bと、開口部14Bの底部に位置するカソード電極11上に形成された電子放出部15から成り、電子放出部15は、複数の粒状物質20、及び、該粒状物質20をカソード電極11の表面に固着させるための薄膜21から成る。
請求項(抜粋):
(A)支持体上に形成されたカソード電極と、(B)支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層と、(C)絶縁層上に形成されたゲート電極と、(D)ゲート電極及び絶縁層を貫通する開口部と、(E)開口部の底部に位置するカソード電極上に形成された電子放出部、から成り、該電子放出部は、複数の粒状物質、及び、該粒状物質をカソード電極の表面に固着させるための薄膜から成ることを特徴とする冷陰極電界電子放出素子。
IPC (3件):
H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 31/12
FI (3件):
H01J 9/02 B ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 F
Fターム (7件):
5C036EE14 ,  5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH11

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