特許
J-GLOBAL ID：200903070009848421
配線基板およびその実装構造
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-234631
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074418
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】パッケージなどの配線基板のプリント基板等の外部電気回路基板への長期安定性の優れた実装構造を提供する。【解決手段】Cuなどのメタライズ配線層3を絶縁基板1の表面あるいは内部に配設した配線基板において、絶縁基板1をリチウム珪酸系の非晶質相を15〜60体積%と、40〜400°Cにおける熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物結晶相を合計で85〜40体積%の割合で含有し、非晶質相の含有量を上記範囲で制御することにより、40〜400°Cにおける熱膨張係数を8〜18ppm/°Cの範囲で細かい制御とともに、焼結体のヤング率を低減せしめ、プリント基板等の外部電気回路基板への長期安定性の優れた実装を実現する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、メタライズ配線層とを具備した配線基板において、前記絶縁基板が、Liを酸化物換算で5重量%以上含有するリチウム珪酸系の非晶質相を15〜60体積%と、40〜400°Cにおける熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物結晶相を合計で85〜40体積%の割合で含有し、ヤング率が100GPa以下であり、且つ40〜400°Cにおける熱膨張係数が8〜18ppm/°Cの焼結体からなることを特徴とする配線基板。
IPC (4件)：
H01L 23/15
, C03C 3/083
, H05K 1/03 610
, H05K 1/14
H01L 23/14 C
, C03C 3/083
, H05K 1/03 610 D
, H05K 1/14 A
