特許
J-GLOBAL ID:200903070010030262

アセタールスルホネート誘導体およびその製造方法ならびにスチレンオキサイド誘導体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅村 皓 (外3名)
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2000008374
公開番号(公開出願番号):WO2001-040168
出願日: 2000年11月28日
公開日(公表日): 2001年06月07日
要約:
【要約】医農薬中間体として有用なアセタールスルホネート誘導体及びその工業的な製造方法並びにアセタールスルホネート誘導体またはマンデル酸誘導体からスチレンオキサイド誘導体を工業的に製造する方法が提供される。マンデル酸誘導体をエステル化しマンデル酸エステル誘導体とする第1工程、マンデル酸エステル誘導体をアセタールで保護しアセタール誘導体とする第2工程、アセタール誘導体を還元しエタンジオール誘導体とする第3工程、エタンジオール誘導体をスルホン酸クロリド誘導体と反応させる第4工程を包含するアセタールスルホネート誘導体を製造する方法。アセタールスルホネート誘導体を脱アセタール化する脱保護する工程及び該工程で得られたスルホネート誘導体を塩基触媒によりエポキシ化する工程を包含するスチレンオキサイド誘導体を製造する方法。
請求項(抜粋):
下記一般式(1)(式中、R1、R2は同一または異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ハロゲン置換していてもよい炭素数1から4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、ハロゲン置換していてもよい炭素数1から4の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基、置換していても良いアミノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基を示し、またはR1、R2が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を示し、R3は3,4,5,6-テトラヒドロ-2H-ピラン-2-イル基または1-メトキシ-1-メチルエチル基を示し、R4は炭素数1から4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基または置換していても良いフェニル基を示す。)で表されるアセタールスルホネート誘導体。
IPC (9件):
C07C309/66 ,  C07C303/28 ,  C07C309/73 ,  C07D301/02 ,  C07D303/08 ,  C07D309/10 ,  C07B 53/00 ,  C07B 61/00 300 ,  C07M 7:00
FI (8件):
C07C309/66 ,  C07C303/28 ,  C07C309/73 ,  C07D301/02 ,  C07D303/08 ,  C07D309/10 ,  C07B 53/00 F ,  C07B 61/00 300

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