特許

J-GLOBAL ID：200903070011135742

Ib-IIIb-VIb族化合物半導体

発明者： 森 健 ,  高見沢 稔 ,  阪口 新
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-037471
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195501
出願日： 1995年01月18日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 CuInGaSe2化合物半導体における光電変換効率のバラツキを同光電変換層に別種の元素を含ませることにより減少させる。【構成】 CuInGaSe2を主成分とした薄膜4の形成時にNaを蒸着法により所定量だけ含ませて化合物半導体を作製する。

請求項（抜粋）：

Ib族、IIIb族、VIb族の各々より選ばれる元素を含んで成る化合物半導体で、原子半径が1.70オングストローム以上の元素を重量で5ppm〜5%の割合で含有することを特徴とするIb-IIIb-VIb族化合物半導体。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  C23C 14/06