特許
J-GLOBAL ID：200903070011650639
プレーナマグネトロンスパッタ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-050918
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021041
出願日： 1992年03月09日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】マグネトロンスパッタ装置においてターゲットの使用効率を改善するために、中央磁石(12;22;26)と長円環状の外側磁石(13;23;27)との間にこれらの磁石に沿って場所によって断面積の異なる一つまたは二つの補助磁石(14、15;24、25;28)を設けて磁石組立体を構成し、この磁石組立体の直線状部分、湾曲部分及びこれら部分の間の遷移部分の全ての部分すなわち全周のあらゆる横断面において、ターゲット(17)の上方0.5 〜1mmの平行面内における垂直磁場分布が三度ゼロとなるように構成したことを特徴とする。またマグネトロンスパッタ装置においてターゲットにITOを使用し、電気伝導度の良い透明電導薄膜を形成できるようにするために、上記磁石組立体によって発生される磁場の水平成分が垂直成分の最初のゼロレベル通過位置と最後のゼロレベル通過位置とにおいて1000ガウス以上となるように構成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
カソード上に取り付けられ、スパッタすべき材料で作られたターゲットと、カソードの後側に設けられ、ターゲットの表面上にポロイダル磁場を発生するポロイダル磁場発生手段とを有し、ターゲットの表面上にレーストラック状のプラズマを発生させ、プラズマからターゲットへのイオンの照射によってターゲット材料をスパッタし、ターゲットの表面に対向して配置された基板上に薄膜を形成するプレーナマグネトロンスパッタ装置において、ポロイダル磁場発生手段が、ターゲットの長手方向中央軸線に沿ってそれと平行に位置決めされた細長い中央磁石と、この中央磁石の周囲を取り囲んで設けられ、中央磁石の極性と反対の極性をもつ長円環状の外側磁石と、中央磁石と外側磁石との間でこれらの磁石に沿って位置決めされ、ターゲット近傍に形成される磁場の各断面内のターゲットに平行な面における垂直磁場成分が三度ゼロレベルを通る分布となるように磁場を制御する少なくとも一つの補助磁石とから成り、中央磁石に隣接して配置される補助磁石が中央磁石の極性と反対の極性をもつことを特徴とするプレーナマグネトロンスパッタ装置。
引用特許：
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