特許

J-GLOBAL ID：200903070012522766

パターン成膜装置およびパターン成膜方法

発明者： 田中 正信
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-221007
公開番号（公開出願番号）：特開2003-027212
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2003年01月29日
要約：

【要約】【課題】 パターン間の相対位置の精度を向上させることが可能な成膜装置および成膜方法を提供する。【解決手段】 パターン成膜装置100は、真空蒸着により基板1の一面に複数回に分けて所定のパターン形状に膜を成膜するものであり、主マスク21と補助マスク22を備える。主マスク21は、複数回に分けて転写される穴Hが多数配列して構成され、この列が周期的に(3列毎に1列)転写される。補助マスク22は、主マスクのうち転写対象のパターンに対応する穴H以外の領域に重ね合わせられ、これを遮蔽するものであり、主マスク21の穴Hを2列分だけ遮蔽する短冊型の板状をしている。

請求項（抜粋）：

複数回に分けて転写される各パターンの形状をした孔が形成された主マスクと、前記主マスクのうち転写対象のパターンに対応する孔以外の領域内に設置される補助マスクと、所定のパターン形状の膜を成膜するための成膜材料を供給する材料供給源とを備えたことを特徴とするパターン成膜装置。

IPC (3件)：

C23C 14/04 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (3件)：

C23C 14/04 A ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

Fターム (6件)：

3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4K029HA03 ,  4K029HA04