特許
J-GLOBAL ID:200903070024779576

撮像パネルおよびその残留電荷を除去する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 谷 義一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-145515
公開番号(公開出願番号):特開平9-009153
出願日: 1996年06月07日
公開日(公表日): 1997年01月10日
要約:
【要約】【課題】 撮像パネル内の残留電荷を除去すること。【解決手段】 撮像パネルは、誘電材料の基板層に隣接して配列された複数個のセンサと、当該センサの上に設けられた放射線感応層とを有する。放射線感応層が、第1の実質的に均一なパターンの光線により露光されて、撮像パネル内に捕捉されている残留電荷が部分的に中和される。次に、放射線感応層は、第2の実質的に均一なパターンの十分な光線により露光されて、撮像パネル内に捕捉されている実質的に全ての残留電荷が中和される。
請求項(抜粋):
上面と下面とを有する誘電材料の基板層と、前記基板層の前記上面に隣接して配列されるとともに、各々がスイッチング・デバイスと検知素子とを有する複数個のセンサと、前記センサの上に配置された下面および自身の前記下面の反対側に位置する上面を有する放射線感応層とを含む撮像パネルにおいて、前記基板層の前記下面に隣接して配置されて、実質的に均一なパターンの光放射を前記基板層の上に供給する発光パネルを具え、前記基板層と各検知素子が、前記パネルからの光放射に対して実質的に透明な光学密度を有し、それによって前記光放射が前記基板層と前記検知素子とを通過して、前記放射線感応層の前記下面に達するようにしたことを特徴とする撮像パネル。
IPC (2件):
H04N 5/335 ,  H04N 5/32
FI (2件):
H04N 5/335 V ,  H04N 5/32
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開平1-253679

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