特許

J-GLOBAL ID：200903070025224284

膜厚測定装置

発明者： 内田 順三
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-115706
公開番号（公開出願番号）：特開平6-331320
出願日： 1993年05月18日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は半導体ウエハ表面の被測定パターン上に高精度、簡便に位置決めし、この半導体ウエハ表面の膜厚を測定することを可能とする膜厚測定装置を提供することにある。【構成】シリコン基板22上にSiO2 膜23を形成しているシリコンウエハ17上に白色光源1からの光を照射し、シリコンウエハ17からの反射光に基づいて測定部分の位置決めを行う。その際シリコンウエハ17からの反射光に基づいてSiO2 膜23の厚さの測定もする。

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜と、配線パターンの形成部とを有している半導体ウエハに測定光を照射し、上記半導体ウエハからの反射光に基づいて上記薄膜の膜厚を測定する膜厚測定装置において、上記薄膜の被測定部分への位置決めに用いるデータの検出と、上記薄膜の膜厚データの測定とを上記半導体ウエハからの反射光を用いて単一の光学系で行うことを特徴とする膜厚測定装置。