特許

J-GLOBAL ID：200903070029567550

エピタキシャルシリコン基板及び固体撮像装置並びにこれらの製造方法

発明者： 滝澤 律夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-064781
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251322
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 シリコンエピタキシャル層を素子形成層にして特性の優れた半導体装置を高い歩留りで形成することができるエピタキシャルシリコン基板及び白傷欠陥が少なくて歩留りが高い固体撮像装置並びにこれらの製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板11に炭素14及び窒素15をイオン注入し、このSi基板11上にSiエピタキシャル層17を形成する。窒素15によってSi基板11中における酸素の析出が加速され、ゲッタシンクとしての炭素14と酸素との化合物をSi基板11中に形成することができる。このため、Siエピタキシャル層17中に混入する金属不純物を強力にゲッタリングすることができる。

請求項（抜粋）：

炭素及び窒素を含むシリコン基板と、このシリコン基板の表面上に積層されているシリコンエピタキシャル層とを有することを特徴とするエピタキシャルシリコン基板。

IPC (3件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/146

FI (4件)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/322 J ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/14 A