特許

J-GLOBAL ID：200903070029765646

薄膜トランジスタ

発明者： 北方 誠
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-195990
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021462
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタの微細化を可能にして高集積化図るとともに、製造の容易化を可能にする。【構成】 絶縁膜102上に形成されたゲート電極103と、このゲート電極及び絶縁膜に開設された開口部の側面に形成されたゲート絶縁膜105と、このゲート絶縁膜に沿ってゲート電極と対向するように形成された活性層ポリシリコン106と、開口部の底部と上部周囲において活性層ポリシリコンに形成された高濃度領域107とを有し、これら高濃度領域間の活性層ポリシリコンを電流経路として、トランジスタを厚さ方向に形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に形成されたゲート電極と、このゲート電極及び前記絶縁膜に開設された開口部の側面に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜に沿って前記ゲート電極と対向するように形成された活性層ポリシリコンと、前記開口部の底部と上部周囲において前記活性層ポリシリコンに形成された高濃度領域とを有し、これら高濃度領域間の活性層ポリシリコンを電流経路としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。