特許
J-GLOBAL ID:200903070030451108

セラミック回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-330405
公開番号(公開出願番号):特開2003-133662
出願日: 2001年10月29日
公開日(公表日): 2003年05月09日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子の発熱によるセラミック回路基板の反りによって、セラミック回路基板と放熱部材間の伝熱性組成物に気泡が侵入し、放熱性が劣化するのを解消すること。【解決手段】 セラミック基板2の上面に金属回路板3を、下面に金属回路板3と対向するダミー金属回路板4を取着して成り、ダミー金属回路板4が伝熱性組成物5を介して放熱部材6に実装されるセラミック回路基板1であって、ダミー金属回路板4は、放熱部材6側の面が平坦であり、回路間と対向する部位の厚みが0.05mm以上で金属回路板3に対向する部位の厚みより薄く、かつ金属回路板3の厚みの半分以下であり、金属回路板3と対向する部位でセラミック基板2に取着されている。ダミー金属回路板4の回路間に対応する隙間に気泡が侵入するのを防ぎ、熱負荷による基板の変形を抑制する。
請求項(抜粋):
セラミック基板の上面に金属回路板を、下面に前記金属回路板およびその回路間と対向するダミー金属回路板を取着して成り、該ダミー金属回路板が伝熱性組成物を介して放熱部材に実装されるセラミック回路基板であって、前記ダミー金属回路板は、前記放熱部材側の面が平坦であり、前記回路間と対向する部位の厚みが0.05mm以上で前記金属回路板に対向する部位の厚みより薄く、かつ前記金属回路板の厚みの半分以下であり、前記金属回路板と対向する部位で前記セラミック基板に取着されていることを特徴とするセラミック回路基板。
IPC (2件):
H05K 1/02 ,  H01L 23/12
FI (3件):
H05K 1/02 Q ,  H05K 1/02 F ,  H01L 23/12 J
Fターム (8件):
5E338AA02 ,  5E338AA18 ,  5E338CC04 ,  5E338CC08 ,  5E338CC09 ,  5E338CD05 ,  5E338EE02 ,  5E338EE28
引用特許:
審査官引用 (6件)
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