特許
J-GLOBAL ID：200903070042154567
半導体レーザ素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246646
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116133
出願日： 1994年10月13日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】リッジ埋め込み型半導体レーザにおいて、リッジの両側面に結晶不良部が無いことによって、発光特性が良いレーザ素子を歩留り良く提供する。【構成】第一導電型の(100) 面のGaAs基板1上に第一導電型のAl<SB>X </SB>Ga<SB>1-X </SB>Asからなる第一クラッド層2 、Al<SB> Y</SB> Ga<SB>1-Y</SB> As からなる活性層3 , 第二導電型のAl<SB></SB><SB>X </SB>Ga<SB>1-X </SB>Asからなる下部第二クラッド層51、Al<SB> Z</SB> Ga<SB>1-Z</SB> As からなるエッチングストップ層6 、第二導電型のAl<SB>X </SB>Ga<SB>1-X </SB>Ass からなる中部第二クラッド層52、Al<SB></SB><SB>A</SB>Ga<SB>1-A </SB>As(Z<X<A)からなるリッジ形状調整層53、第二導電型のAl<SB>X </SB>Ga<SB>1-</SB><SB>X </SB>Asからなる上部第二クラッド層54、および第二導電型のGaAsからなるコンタクト層7 が順次積層され、エッチングストップ層より後で積層された層をアンモニア系のエッチング液を用いてエッチングし、第二クラッド層のコンタクト層に隣接するリッジ側面とコンタクト層下面とが鈍角をなす。リッジの両側は第一導電型のGaAsからなる電流阻止層10によって埋められている。
請求項（抜粋）：
第一導電型の(100) 面のGaAs基板上に第一導電型のAlX Ga1-XAsからなる第一クラッド層, Al Y Ga1-Y As らなる活性層, 第二導電型のAlX Ga1-X Asからなる第二クラッド層、第二導電型のGaAsからなるコンタクト層が順次積層されたリッジ埋め込み型構造の半導体レーザ素子において、第二クラッド層のコンタクト層に隣接するリッジ側面とコンタクト層下面とが鈍角をなすことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
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