特許

J-GLOBAL ID：200903070048196199

高アスペクト比構造のために電気パルス変調を使用する電気化学堆積方法及びシステム

発明者： スリニヴァス ガンディコタ ,  アラン デュブース ,  シュー ネオ ,  リーアン ユー チェン ,  ロビン チェウン ,  ダニエル カール
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-247083
公開番号（公開出願番号）：特開2001-152386
出願日： 2000年07月12日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：

【要約】【課題】 基体上の高アスペクト比構造内に金属を電気化学的に堆積させる装置及び方法を提供することである。【解決手段】 本方法は、第1の時間にわたって基板に一定の電流密度を印可するステップ502と、第2の時間にわたって基板に一定の逆極性電圧を印可するステップ504と、第1及び第2のステップを繰り返して構造を充填するステップとを含む。1実施例では、一定の電流密度は約5mA/cm2と約40mA/cm2との間であって、約0.1秒と約20秒との間の持続時間にわたって印加される。一定の逆極性電圧は約-5Vと約-80Vとの間であって、約0.02秒と約3秒との間の持続時間にわたって印加される。構造が充填された後、基板に一定の電流密度を印加して金属層を基板上に堆積させる。

請求項（抜粋）：

基板上の高アスペクト比構造内に金属を電気化学的に堆積させる方法であって、a)第1の時間にわたって上記基板に一定の電流密度を印加するステップと、b)第2の時間にわたって上記基板に一定の逆極性電圧を印加するステップと、c)上記ステップa)及びb)を繰り返して上記構造を充填するステップと、を含んでいることを特徴とする方法。

IPC (4件)：

C25D 5/18 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

C25D 5/18 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/88 M