特許

J-GLOBAL ID：200903070049119082

シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法

発明者： 宝来 正隆 ,  梶田 栄治
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-158458
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330316
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 全面にGrown-in欠陥のないシリコン単結晶ウェーハを提供する。【構成】 チョクラルスキー法でシリコン単結晶を育成する際に、引き上げ速度をV(mm/min )とし、シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG(°C/mm)とするとき、V/G値を結晶中心位置と結晶外周から30mmまでの位置との間では0.20〜0.22mm2 /°C・min とし、結晶外周から30mmまでの位置と結晶外周位置との間では0.20〜0.22mm2 /°C・min とするか若しくは結晶外周に向かって漸次増加させる。OSFリングがウェーハ中心部で消滅し、且つリングの外側に生じるはずの転位クラスタも発生しない。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウェーハであって、熱酸化処理をした際にリング状に発生する酸化誘起積層欠陥がウェーハ中心部で消滅した低速育成ウェーハであり、且つウェーハ全面から転位クラスタが排除されていることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ。

IPC (3件)：

H01L 21/322 ,  C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502

FI (3件)：

H01L 21/322 Y ,  C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502 J