特許
J-GLOBAL ID:200903070051058422
セラミックス回路基板及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高橋 祥泰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-154460
公開番号(公開出願番号):特開平6-342965
出願日: 1993年05月31日
公開日(公表日): 1994年12月13日
要約:
【要約】【目的】 半田ぬれ性,接着強度,及び耐熱性に優れた導体回路を有する,セラミックス回路基板及びその製造方法を提供すること。【構成】 セラミックス基板2の表面に導体回路10を有する。導体回路10は,ニッケルメッキ膜12及び金メッキ膜13により表面を被覆された銅層11よりなる。銅層は,粒径0.5〜10μmの銅粉100重量部(以下,部という。)と,粒径0.01〜10μmの酸化銅粉0.1〜10.0部と,粒径0.5〜10μmのガラスフリット3〜10部とよりなる銅ペーストを焼成したものである。ガラスフリットは,40〜70重量%(以下,%という。)のPbO,5〜20%のSiO2 ,5〜40%のB2 O3 ,及び20%以下のROからなる。ニッケルメッキ膜の膜厚は0.5〜5μmであって,金メッキ膜の膜厚は0.05μm以上である。
請求項(抜粋):
セラミックス基板の表面に導体回路を有するセラミックス回路基板であって,上記導体回路は,ニッケルメッキ膜及び金メッキ膜により表面を被覆された銅層よりなり,上記銅層は,粒径0.5〜10μmの銅粉100重量部(以下,部という。)と,粒径0.01〜10μmの酸化銅粉0.1〜10.0部と,粒径0.5〜10μmのガラスフリット3〜10部とよりなる銅ペーストを焼成したものであり,かつ上記ガラスフリットは,40〜70重量%(以下,%という。)のPbO,5〜20%のSiO2 ,5〜40%のB2 O3 ,及び20%以下のROからなり,上記ニッケルメッキ膜の膜厚は0.5〜5μmであって,上記金メッキ膜の膜厚は0.05μm以上であることを特徴とするセラミックス回路基板。
IPC (2件):
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