ダイヤモンドを用いたエレクトロン・エミッターおよびエレクトロン・エミッター・アレーの作製

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-269385
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094081
出願日： 1993年09月23日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】負の電子親和力を持つ、n型およびp型半導体ダイヤモンド単体を用いた、安定性に優れ、低電圧で高電流密度が得られるエレクトロン・エミッター、およびエレクトロン・エミッター・アレーの提供【構成】ダイヤモンドの特徴の一つである負の電子親和力を利用し、適当な不純物を含むか、結晶中の欠陥等に起因したn型あるいはp型半導体的性質を有するダイヤモンド単体を用い、従来の半導体デバイス構造を用いずに、安定性に優れ低電圧で高電流密度が得られるエレクトロン・エミッター(電子放出素子)の作製、三極真空電子増幅素子の作製、および加工の極めて難しいダイヤモンドから成り、鋭い先端形状を持ち、これが規則正しく配列した、エレクトロン・エミックー・アレーの作製

請求項（抜粋）：

ダイヤモンドの特徴の一つである負の電子親和力を利用し、不純物としてリン(P)・窒素(N)・リチウム(Li)・ナトリウム(Na)・酸素(0)などを含むか、結晶中の欠陥等に起因したn型半導体的性質を有するダイヤモンド、あるいは不純物としてホウ素(B)・アルミニウム(Al)など含みp型半導体的性質を有するダイヤモンド単体を用い、従来の半導体デバイス構造を用いる必要のないことを特徴とする、安定性に優れ、低電圧で高電流密度が得られるエレクトロン・エミッター(電子放出素子)の作製、および三極真空電子増幅素子の作製

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