特許

J-GLOBAL ID：200903070061590106

イオン注入装置

発明者： 芳之内 淳 ,  森田 達夫 ,  土本 修平
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227971
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067450
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、大面積基板へのイオン注入において、基板に注入する必要なイオンのドーズ量の制御をすることにより、均一なデバイスを製造することができるイオン注入装置を提供することを目的とする。【構成】 プラズマ室2でプラズマ源を形成し、イオン加速用電源6、7と2次電子制御用電源8、電極板9と絶縁体10からなるイオン加速部により前記プラズマ源からイオンを取り出し、基板12にイオンを注入するイオン注入装置において、全イオンの電流密度を計測するためのチャージコレクター13と、必要なイオンの電流密度を計測する電場及び磁場を備えた電磁型エネルギー分析器14とで全イオンに対する必要なイオンの割合を算出することによりイオンの照射時間を制御し、イオン注入量を制御するイオン注入装置。

請求項（抜粋）：

注入イオンを生成するプラズマ源と、前記注入イオンを加速するための加速部と、前記加速した注入イオンが照射される位置に設置された基板ホルダーとを有するイオン注入装置において、電場及び磁場を備えた電磁型エネルギー分析器とを有し、該電磁型エネルギー分析器は前記イオンの入射方向に対して垂直方向成分をもつような電場及び磁場を備えることを特徴とするイオン注入装置。

IPC (5件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  C23C 14/54 ,  H01J 37/05 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/265 D ,  H01L 21/265 T

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-276146