特許

J-GLOBAL ID：200903070062292222

薄膜抵抗器及び薄膜抵抗器の製造方法

発明者： 本間 光尚 ,  小山 幸宏 ,  佐藤 美樹 ,  大須賀 一行 ,  佐々木 勇 ,  及川 泰伸
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 南條 眞一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178659
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020803
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 高い高温安定性と良好な抵抗温度特性を有し、生産性が良好な抵抗薄膜材料及び抵抗薄膜の製造方法を得る。【構成】抵抗薄膜材料として、Cr対Niの比が0.15〜0.74、Alが0.4〜4.0wt%、Siが0.2〜5.0wt%、AlとSiの総量が1.5〜8.0wt%であるNi-Cr-Al-Si4元系合金を用い、この薄膜抵抗材料を絶縁材料基板上に生成させ、この薄膜抵抗を酸素濃度0.001〜0.1ppm、温度300°C〜700°Cで1〜20時間熱処理を行い、さらに酸素濃度0.1〜100ppm、200°C〜500°Cで1〜10時間熱処理する。

請求項（抜粋）：

Cr対Niの比が0.15〜0.74、Alが0.4〜4.0wt%、Siが0.2〜5.0wt%、AlとSiの総量が1.5〜8.0wt%であることを特徴とする抵抗薄膜材料。

IPC (3件)：

H01C 7/00 ,  C23C 14/18 ,  H01C 17/06