特許

J-GLOBAL ID：200903070063989090

光半導体装置

発明者： 倉掛 博英 ,  内田 徹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-177788
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046286
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 InGaPクラッド層表面の異常成長により生じる凹凸の影響を低減して、良質の活性層を形成することができる。【構成】 基板1上に緩和バッファー層4が形成され、該緩和バッファー層4上にクラッド層5が形成され、該クラッド層5上にリンを含有する光導波路層6,8が形成され、該光導波路層6,8上に活性層9が形成されてなる光半導体装置において、該光導波路層6を、該活性層9表面を平坦にするように、リン組成を少なくし、かつ膜厚を厚くしてなる。

請求項（抜粋）：

基板(1)上に緩和バッファー層(4)が形成され、該緩和バッファー層(4)上にクラッド層(5)が形成され、該クラッド層(5)上にリンを含有する光導波路層(6,8)が形成され、該光導波路層(6,8)上に活性層(9)が形成されてなる光半導体装置において、該光導波路層(6)を、該活性層(9)表面を平坦にするように、リン組成を0.25以下になるように少なくし、かつ膜厚を0.1μm以上になるように厚くしてなることを特徴とする光半導体装置。