特許
J-GLOBAL ID:200903070065226450
薄膜形成装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-190453
公開番号(公開出願番号):特開2002-009002
出願日: 2000年06月26日
公開日(公表日): 2002年01月11日
要約:
【要約】【課題】 従来の薄膜形成装置に配置されたサセプタ表面に形成された座ぐり部は円形であり半導体基板のオリエンテーションフラット部において露出するため、薄膜形成時に堆積物が溜まり座ぐり部主面と半導体基板との間に隙間が生じたり半導体基板が傾くため水平度が悪くなった。【解決手段】 サセプタ15には、半導体基板1の所定の半径よりやや大きい半径の円形をした座ぐり部14が設けられており、さらに座ぐり部14内に座ぐり部14外周縁に沿った溝21を有しており、溝21の外側周縁22は座ぐり部14外周縁に一致した形状であり、溝21の内側周縁23は半導体基板1の中心からオリエンテーションフラット部8に下ろした垂線の長さから座ぐり部14と半導体基板1との余裕寸法を差し引いた長さを半径とする円形よりもやや小さい半径の円形であり、溝の断面が矩形であることを特徴とする薄膜形成装置。
請求項(抜粋):
サセプタ表面に設けられた座ぐり部に載置して薄膜形成を行う半導体基板の薄膜形成装置において、前記サセプタが座ぐり部内にその外周縁に沿う溝を有し、前記座ぐり部に所定半径の半導体基板を載置したとき、半導体基板の全周縁が常に前記溝上になるようにしたことを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (3件):
H01L 21/205
, C23C 16/458
, H01L 21/68
FI (3件):
H01L 21/205
, C23C 16/458
, H01L 21/68 N
Fターム (18件):
4K030BA29
, 4K030CA04
, 4K030FA10
, 4K030GA02
, 4K030KA04
, 4K030KA24
, 4K030KA45
, 4K030LA15
, 5F031CA02
, 5F031HA05
, 5F031HA07
, 5F031HA25
, 5F031MA28
, 5F031MA29
, 5F031MA32
, 5F045BB14
, 5F045DP02
, 5F045EM02
引用特許:
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