特許
J-GLOBAL ID：200903070069791887
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053723
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267943
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【構成】 スタンパ106の凹凸面をゲル薄膜104に押しつけて凹凸面を転写した後ゲル薄膜を加熱硬化し、ゲル薄膜の表面をエッチングしてゲル薄膜の凹部底面を必要に応じ清浄化した後、その凹部に金属を埋め込んで配線とする。【効果】 レジストを用いずに多層配線を形成できるので、従来レジストを除去する工程で生じていたゲル薄膜の吸湿がなく、信頼度の高い多層配線構造を少ない工程数で形成できる。
請求項（抜粋）：
電極を有する基板上にゲル薄膜を形成する第1の工程と、スタンパの凹凸面を前記ゲル薄膜に押しつけて前記凹凸面を転写する第2の工程と、前記ゲル薄膜に熱処理を加える第3の工程と、前記スタンパの凸部が転写された領域上に金属膜を堆積する第4の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
H01L 21/88 B
, H01L 21/88 M
