特許

J-GLOBAL ID：200903070074179073

発光ダイオードアレイ

発明者： 北田 勝信
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-316440
公開番号（公開出願番号）：特開平10-157193
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1998年06月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 電極の短絡や装置の大型化を防止した発光ダイオードアレイを提供する。【解決手段】 半導体基板1上に一導電型を呈する島状の第一の半導体層2を列状に設け、この第一の半導体層上に逆導電型を呈する第二の半導体層3を設け、上記第一の半導体層2に共通電極5a,5bを接続して設けると共に、上記第二の半導体層3に個別電極4を接続して設けた発光ダイオードアレイであって、上記半導体基板上に絶縁膜6を設け、この絶縁膜上に上記個別電極4を形成すると共に、上記半導体基板の一部に凹部9を設け、この凹部内に前記共通電極5a,5bを設けたり、絶縁膜6上に共通電極を形成して、凹部内に個別電極4を設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に一導電型を呈する島状の第一の半導体層を列状に設け、この第一の半導体層上に逆導電型を呈する第二の半導体層を設け、前記第一の半導体層に共通電極を接続して設けると共に、前記第二の半導体層に個別電極を接続して設けた発光ダイオードアレイにおいて、前記半導体基板上に絶縁膜を設け、この絶縁膜上に前記個別電極を形成すると共に、前記半導体基板の一部に凹部を設け、この凹部内に前記共通電極を形成したことを特徴とする発光ダイオードアレイ。

IPC (4件)：

B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

B41J 3/21 L ,  H01L 33/00 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-251354   出願人：日立電線株式会社
• 特開昭63-072193