特許

J-GLOBAL ID：200903070077907851

面発光型半導体レーザ

発明者： 近藤 貴幸 ,  森 克己 ,  金子 丈夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-170356
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340156
出願日： 1995年06月13日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 レーザ発光面上の発光スポットを近接配置するのに適した構造の面発光型半導体レーザを提供すること。【構成】 裏面に第1の電極101が形成された半導体基板100の表面側に一対の第1,第2の反射ミラー103,111が形成され、その間に多層の半導体層104,105,106,109が設けられる。この多層の半導体層のうち第2クラッド層106,コンタクト層109が柱状にエッチングにされて柱状部分114となり、この柱状部分114の周囲に絶縁性の埋込み層107,108が形成されている。柱状部分114の端面側に形成される光出射側の第2の電極112は、柱状部分114の端面に臨んで複数の開口部112aを有し、各々の開口部112aの周縁部が柱状部分114の端面とコンタクトされている。各開口部112aを覆って第2の反射ミラー112が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と垂直な方向にレーザ光を発振する面発光型半導体レーザにおいて、前記半導体基板の下側に形成された第1の電極と、前記半導体基板上に形成された第1の反射ミラーと、前記第1の反射ミラー上に形成され、少なくとも活性層及びクラッド層を含む多層の半導体層と、前記多層の半導体層のうち、少なくとも前記クラッド層が柱状にエッチングされて形成される柱状部分と、前記柱状部分の周囲に埋め込まれた絶縁性の埋込み層と、前記柱状部分の端面に臨んで複数の開口部が形成され、各々の前記開口部の周縁にて前記柱状部分の端面とコンタクトされる第2の電極と、前記第2の電極の複数の前記開口部を覆って形成された第2の反射ミラーと、を有することを特徴とする面発光型半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/105

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 Z ,  H01S 3/105