特許

J-GLOBAL ID：200903070079337521

パターン計測システム、パターン計測方法、プロセス管理方法及び露光条件決定方法

発明者： 浅野 昌史 ,  東木 達彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-110280
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319687
出願日： 2003年04月15日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】ウエーハ上のパターンの寸法分布を正確に求めることができるパターン計測システム、パターン計測方法、プロセス管理方法及び露光条件決定方法を提供する。【解決手段】フォトマスク面内におけるパターンの寸法分布に応じ、ウエーハ上に転写されるパターンの寸法計測位置を決定するシミュレータと、寸法計測位置においてパターンの寸法を計測する寸法検査装置と、フォトマスク面内におけるパターンの寸法分布に関するデータを格納するフォトマスクデータベースとを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

フォトマスク面内におけるパターンの寸法分布に応じ、ウエーハ上に転写される前記パターンの寸法計測位置を決定する決定手段と、 前記寸法計測位置において前記パターンの寸法を計測する寸法検査装置と、 前記フォトマスク面内における前記パターンの寸法分布に関するデータを格納するフォトマスクデータベース とを有することを特徴とするパターン計測システム。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F7/20

FI (2件)：

H01L21/30 502G ,  G03F7/20 521

Fターム (8件)：

5F046AA18 ,  5F046AA25 ,  5F046AA28 ,  5F046BA03 ,  5F046DA02 ,  5F046DA12 ,  5F046DD03 ,  5F046DD06