特許

J-GLOBAL ID：200903070079626604

光デバイス

発明者： 清水 悦朗 ,  上澤 豊
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021651
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199804
出願日： 1996年01月16日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 安価で信頼性の高い、半導体レーザーと光導波路とフォトダイオードとを備えた光デバイスを提供する。【解決手段】 N型シリコン基板101 上に絶縁膜102 を介して半導体レーザー103 を実装し、クラッド106 ,コア107 ,クラッド108 からなる光導波路109L,109Rをオンウエハープロセスによってシリコン基板101 上に絶縁膜102 を介してパターン形成し、更にシリコン基板101 にP型拡散層112L,112Rを形成して、N型シリコン基板101 との間にPNフォトダイオードを形成し、半導体レーザーと光導波路とフォトダイオードとを備えた光デバイスを構成する。

請求項（抜粋）：

半導体レーザと光導波路とを構成要素とする光出射機構と、フォトダイオードを構成要素とする受光機構とを有する光デバイスにおいて、一導電型のシリコン基板に反対導電型の第1の不純物層を形成してフォトダイオードを構成すると共に、該シリコン基板上にクラッド,コア,クラッドからなる光導波路をパターン形成し、該シリコン基板上に半導体レーザを貼り合わせて実装したことを特徴とする光デバイス。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  H01S 3/133

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  H01S 3/133