特許
J-GLOBAL ID:200903070079725378

D級増幅器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-307367
公開番号(公開出願番号):特開2000-151300
出願日: 1999年10月28日
公開日(公表日): 2000年05月30日
要約:
【要約】【課題】 過電流検知回路と自己調整ブランキングを有するD級増幅器を提供する。【解決手段】 検知回路100は二つの抵抗11、12、二つのpnpトランジスタ13、14、及びカレントミラー15、16を含む。抵抗11、12は、ブリッジ内の高電圧を比例電流に変換する。カレントミラー、MOSFET15、16は、I1 、I2 を比較する。I2 がI1 よりも大きい時、A点の電圧は高い。この場合以外、電圧は低い。抵抗12は11よりも小さく設定されており、通常の動作時、FET22がオンになった時、I2 がI1 よりも大きくA点での電圧が高い。過電流現象の間、FET22の電圧降下、VONは大きく、I2 はI1よりも小さく、A点での電圧は低いままである。
請求項(抜粋):
高低電圧パワーバスの間に接続されたブリッジ回路を含む出力検知回路を備えたブリッジ回路と、互いに直列に接続された少なくとも二つのMOSFETとを有するD級増幅器であって、一つのMOSFETに亘る電圧降下を上記MOSFETに亘る電圧を表わす電流信号に変換する第1の変換回路と、少なくとも他の二つのMOSFETに亘る電圧降下を、他のMOSFETに亘る電圧降下を表わす電流信号に変換する第2の変換回路とを有し、上記第1変換回路は、上記MOSFETを通る電流を表わす電流信号を有し、上記第2変換回路は、上記他のMOSFETを通る電流を表わす電流信号を有することを特徴とするD級増幅器。
IPC (3件):
H03F 3/217 ,  H03F 1/02 ,  H03F 1/52
FI (3件):
H03F 3/217 ,  H03F 1/02 ,  H03F 1/52 Z

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