特許
J-GLOBAL ID：200903070082235381
信頼性シミュレーション方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229593
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053273
出願日： 1999年08月16日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 信頼性シミュレーションモデルとして、フィッティング誤差やAC固有のホットキャリア劣化による寿命の誤差のないモデルを作成する。【解決手段】 基板電流モデル,ゲート電流モデルなどによる実験と、シミュレーションのモデル式の作成とを行なった後、DCストレス印加実験を行ない、実験データに基づいてホットキャリア寿命パラメータであるH,mを補正する。この処理により、モデル式のフィッティング誤差はキャンセルされる。次に、リングオシレータにストレス印加実験を行って、リングオシレータの寿命と電圧加速係数とを求め、実験データの電圧加速係数に合わせて、m,Hを順次補正して、この方正に応じてモデル式を修正する。この処理により、AC固有のホットキャリア劣化によるモデル式の誤差はキャンセルされる。同一プロセスで作製された組み合わせ論理回路などに対し、高いシミュレーション精度が得られる。
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタにホットキャリア劣化を生ぜしめるために印加するストレスと、そのストレス下におけるMOSトランジスタの寿命との相関関係を、ホットキャリア寿命パラメータを含む関係式として求めるステップ(a)と、MOSトランジスタへのDCストレス印加実験を行なって、ホットキャリア劣化の電圧加速係数および寿命についての実験値を求めるステップ(b)と、上記ホットキャリア劣化の電圧加速係数および寿命について、上記実験値と上記関係式から導き出されるシミュレーション値とを順次比較して、上記実験値にシミュレーション値が一致するように、上記ホットキャリア寿命パラメータを補正するステップ(c)と、上記補正後のホットキャリア寿命パラメータを用いて、上記関係式を修正するステップ(d)とを含む信頼性シミュレーション方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/00
H01L 29/78 301 Z
, H01L 29/00
