特許
J-GLOBAL ID：200903070084491415
膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
白井 重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-177695
公開番号（公開出願番号）：特開2001-002993
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月09日
要約：
【要約】【課題】 450°C以下での硬化可能であり、得られる膜が適当な均一な厚さを有し、誘電率特性、吸水性特性に優れ、CMP耐性に優れ、かつ空隙サイズが小さく、半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、膜形成用組成物を提供する。【解決手段】 (A)R2 R3 Si(OR1 )2 、R2 Si(OR1 )3 および/またはSi(OR1 )4 、ならびにR2 s ( R1 O)3-sSiRSi(OR1)3-t R2 t (R1 〜R3 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基、Rは2価の有機基を示し、sおよびtは0〜1の整数である)で表される化合物、これらの加水分解物および/またはこれらの縮合物、(B)(メタ)アクリレート系重合体、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒、を含有する膜形成用組成物。
請求項（抜粋）：
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物、および/または(A-2)下記一般式(2)で表される化合物、および/または(A-3)下記一般式(3)で表される化合物、ならびに、(A-4)下記一般式(4)で表される化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、R2 R3 Si(OR1 )2 ・・・・・(1)R2 Si(OR1 )3 ・・・・・(2)Si(OR1 )4 ・・・・・(3)(R1 〜R3 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基、Rは2価の有機基を示し、sおよびtは0〜1の整数である。)(B)アルコキシシリル基を有するラジカル重合性モノマーを0.1〜10モル%含むモノマーを重合してなる(メタ)アクリレート系重合体、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (4件)：
C09D183/04
, C08L 33/02
, C08L 83/04
, C09D133/02
C09D183/04
, C08L 33/02
, C08L 83/04
, C09D133/02
4J002BG042
, 4J002BG052
, 4J002BG062
, 4J002BG072
, 4J002CD192
, 4J002CP051
, 4J002EC036
, 4J002EC046
, 4J002EE036
, 4J002EE046
, 4J002EH006
, 4J002EH036
, 4J002EH146
, 4J002EH156
, 4J002EL066
, 4J002EL086
, 4J002EP016
, 4J002EU026
, 4J002EU076
, 4J002EU236
, 4J002FD310
, 4J002GH00
, 4J002GP00
, 4J002GQ01
, 4J002GQ05
, 4J038CG142
, 4J038CH032
, 4J038CH042
, 4J038CL002
, 4J038DL021
, 4J038DL031
, 4J038GA15
, 4J038JC32
, 4J038KA06
, 4J038NA21
, 4J038PA19
, 4J038PB09
