特許

J-GLOBAL ID：200903070087296702

MOS型固体撮像装置、カメラ

発明者： 稲垣 誠 ,  内田 幹也
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-267471
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086232
出願日： 2004年09月14日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：

【発明の名称】 MOS型固体撮像装置【課題】ウェル電位の変動によって発生するシェーディングは、チップ面積、受光部面積の拡大に伴い増加する。そこで本発明は、搭載する画素特性を左右することなく、ウェルを低抵抗化することでシェーディングを最小化し、画素性能も最大化できるチップ面積、受光部面積の拡大に適してMOS型個体撮像装置を提供する。【解決手段】2次元配列されたフォトダイオードを含む受光部を有するMOS型固体撮像装置であって、半導体基板上に形成された第1導電型のウェル領域と、前記第1導電型のウェル領域中に形成された第2導電型の領域からなるフォトダイオード部とを有し、前記ウェル領域は深さ方向に2層以上に分割して形成され、前記ウェル領域における最も浅い第1層の不純物濃度は他の層に比べて低い。さらに、受光部ウェル安定化配線を複数の配線で入出力端子に直接接続する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

2次元配列されたフォトダイオードを含む受光部を有するMOS型固体撮像装置であって、 半導体基板上に形成された第1導電型のウェル領域と、 前記第1導電型のウェル領域中に形成された第2導電型の領域からなるフォトダイオード部とを有し、 前記ウェル領域は深さ方向に2層以上に分割して形成され、 前記ウェル領域における最も浅い第1層の不純物濃度は他の層に比べて低い ことを特徴とするMOS型固体撮像装置。

IPC (1件)：

H01L 27/146

FI (1件)：

H01L27/14 A

Fターム (9件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DD04 ,  4M118DD09 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-365552   出願人：キヤノン株式会社