特許

J-GLOBAL ID：200903070088001064

電界効果トランジスタ

発明者： 中野 晴夫 ,  澤田 稔 ,  松村 浩二 ,  井上 大二朗 ,  原田 八十雄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-218365
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045369
出願日： 1992年07月23日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 キャリア移動度が高い電界効果トランジスタを提供する。【構成】 チャネル層を有するヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、電子の基底状態における存在確率が最大であり、第1励起状態における存在確率が零である、チャネル層(InGaAs層10) 内の位置近傍 (ヘテロ界面から約60Å) にSiのアトミック・プレーナ・ドーピングを行ってSi-APD 層11を形成してある。これにより電子分布位置はヘテロ界面より遠去かる。

請求項（抜粋）：

チャネル層を有する電界効果トランジスタにおいて、キャリアの存在確率が基底状態では高く、第1励起状態では低い、前記チャネル層内の位置近傍に、不純物のアトミック・プレーナ・ドーピングを行ってAPD 層を形成してあることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20