特許
J-GLOBAL ID：200903070089737749
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216622
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074275
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 大幅な工程の増加や、MOSトランジスタおよびバイポーラトランジスタの特性の劣化無しに段差を軽減でき、ホトリソグラフィ工程および多層配線工程への負担を軽減する。【構成】 バイポーラトランジスタ分離用選択絶縁膜70の厚さが、MOSトランジスタ分離用選択絶縁膜71よりも厚く形成してある。バイポーラトランジスタ周囲の半導体層をエッチングして溝部54を形成した後、バイポーラトランジスタ周囲の溝部54およびMOSトランジスタ周囲の半導体層を同時に選択酸化して選択酸化絶縁膜60を形成し、これら選択酸化絶縁膜60が形成された半導体基板の表面に、バイポーラトランジスタ周囲に形成された溝部54を埋め込むように、平坦化用絶縁膜68を形成し、この平坦化用絶縁膜68を、選択酸化絶縁膜60を形成するためのマスク層58をストッパとして、ケミカルメカニカルポリッシュ技術等により平坦化を行う。
請求項（抜粋）：
同一半導体基板上にバイポーラトランジスタとMOSトランジスタを形成する半導体装置において、バイポーラトランジスタ分離用絶縁膜の厚さが、MOSトランジスタ分離用絶縁膜よりも厚い半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8249
, H01L 27/06
