特許
J-GLOBAL ID：200903070092274385
半導体基板の研磨装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-272078
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130686
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の研磨装置において、半導体基板の基板面を平滑に研磨する。【構成】 加圧面4aの裏面側には、複数のアクチュエータ11,11...が設けられている。アクチュエータ11により加圧面4aに加える加圧力を局部的に調整して半導体基板3への加圧力分布を調整し、これにより研磨中に半導体基板3に生ずる局部的な凹凸面形状を修正する。
請求項（抜粋）：
定盤と加圧盤とを有し、定盤の研磨布に半導体基板を加圧盤で圧下し、基板面を研磨する半導体基板の研磨装置であって、定盤は、表面に研磨布を有し、回転するものであり、研磨布は、半導体基板の基板面を研磨する平面状のものであり、加圧盤は、回転するものであり、加圧面とアクチュエータとを有し、加圧面は、半導体基板を定盤の研磨布に圧下する変形可能なものであり、アクチュエータは、加圧面の裏面側に複数設けられ、半導体基板の基板面の凹凸形状に対応させて加圧面に加える加圧力を局部的に調整するものであることを特徴とする半導体基板の研磨装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/04
