特許

J-GLOBAL ID：200903070092953606

再成長界面の表面処理方法

発明者： 後藤 修 ,  堀川 英明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-101512
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289171
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 再成長界面の表面処理方法の提供。【解決手段】 先ず、室温の基板の温度を200〜430°Cの温度に上昇させて30分間程度、水素ガスのみの雰囲気中で水素アニーリングを行う。水素アニールの際の圧力は0.1〜1.0atm(76〜760Torr)程度とする。次に、水素アニール終了後に、基板の温度を400〜500°Cの温度に上昇させて、基板の温度に応じて所定の時間、AsH3 アニーリングを行う。次に、AsH3 アニール終了後に、基板の温度を600〜750°Cの通常の再成長温度に上昇させて再成長を開始する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体の再成長界面としての、AlAs、GaAs、AlGaAs、InAlAsまたはInGaAsの表面に対して、前記化合物半導体の再成長を開始する前に、アルシン(AsH3 )アニールを行うことを特徴とする再成長界面の表面処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/324 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/324 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/306 B