ホトレジスト組成物及びパターン形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-355066
公開番号（公開出願番号）：特開平6-186739
出願日： 1992年12月17日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【構成】主としてアルカリ可溶性樹脂と感光剤とからなるホトレジスト組成物において、感光剤が下記一般式(1)で表わされる1,2-ナフトキノン-2-ジアジドスルホン酸エステル又は感光剤が下記一般式(2)で表わされる1,2-ナフトキノン-2-ジアジドスルホン酸エステルを主成分とすることを特徴とするホトレジスト組成物。【化1】(但し、式中Rはそれぞれ1,2-ナフトキノン-2-ジアジドスルホニル基又は水素原子であり、Rの少なくとも一つは1,2-ナフトキノン-2-ジアジドスルホニル基である。また、aは0〜3、bは0〜3、cは0〜2、dは0〜2であり、bとdは同時に0とはならない。)【効果】本発明によれば、i線露光法を採用してハーフミクロン以下の解像度を効果的に達成することができ、特にCEL法と組み合わせたパターン形成により極めて高解像度のレジストパターンを得ることができる。

請求項（抜粋）：

主としてアルカリ可溶性樹脂と感光剤とからなるホトレジスト組成物において、感光剤が下記一般式(1)で表わされる1,2-ナフトキノン-2-ジアジドスルホン酸エステルを主成分とすることを特徴とするホトレジスト組成物。【化1】(但し、式中Rはそれぞれ1,2-ナフトキノン-2-ジアジドスルホニル基又は水素原子であり、Rの少なくとも一つは1,2-ナフトキノン-2-ジアジドスルホニル基である。)

IPC (4件)：

G03F 7/022 , G03F 7/095 501 , G03F 7/26 512 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 R , H01L 21/30 361 L

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