成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-237558
公開番号（公開出願番号）：特開2008-060455
出願日： 2006年09月01日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

【課題】比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができ、且つエッチングストッパ膜や層間絶縁膜等の絶縁膜として十分機能する絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】複数枚の被処理体Wが収容されて真空引き可能になされた処理容器4内に、シラン系ガスと窒化ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にSiBCN膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記ボロン含有ガス及び炭化水素ガスよりなる群から選択されたいずれか一方のガスと前記シラン系ガスとの同時供給を行う同時供給工程と、前記同時供給工程で選択されなかった他方のガスを供給する非選択ガス供給工程と、前記窒化ガスを供給する窒化ガス供給工程とを、前記順序で繰り返し行うようにする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数枚の被処理体が収容されて真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にSiBCN膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記ボロン含有ガス及び炭化水素ガスよりなる群から選択されたいずれか一方のガスと前記シラン系ガスとの同時供給を行う同時供給工程と、前記同時供給工程で選択されなかった他方のガスを供給する非選択ガス供給工程と、前記窒化ガスを供給する窒化ガス供給工程とを、前記順序で繰り返し行うようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/314 , H01L 21/31 , C23C 16/42 , C23C 16/455

FI (4件)：

H01L21/314 A , H01L21/31 C , C23C16/42 , C23C16/455

Fターム (42件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030BA41 , 4K030BA48 , 4K030BA49 , 4K030EA03 , 4K030EA11 , 4K030FA04 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 5F045AA15 , 5F045AB31 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045DP19 , 5F045EE14 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF08 , 5F045EH18 , 5F058BC20 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF26 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BF32 , 5F058BF37 , 5F058BJ02 , 5F058BJ04

引用特許：

出願人引用 (4件)

ビス(t-ブチルアミノ)シランからの窒化珪素の化学気相成長法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-281036 出願人：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
特開平2-93071号公報
ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-193846 出願人：理化学研究所, 新技術事業団

全件表示

審査官引用 (9件)

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-048059 出願人：東京エレクトロン株式会社
成膜方法及び成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-248292 出願人：株式会社東芝
先端トランジスタ製造のための低熱量窒化シリコンの形成
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-522560 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

全件表示

前のページに戻る