特許

J-GLOBAL ID：200903070100258750

トランジスタ発振器

発明者： 野口 務
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-159073
公開番号（公開出願番号）：特開平6-006132
出願日： 1992年06月18日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】チョークインダクタンスが小型で済むないしは使用する必要のない小型でIC化に適した発振器を提供する。【構成】発振用MOSトランジスタQ1 のソース電極に、直流電流源として作用する電流源MOSトランジスタQ2 のドレイン電極を接続し、発振用MOSトランジスタQ1 のドレイン電極にゲート接地のMOSトランジスタQ3 のソース電極を接続する。ゲート接地のMOSトランジスタQ3 で増幅された発振出力を、ゲート接地のMOSトランジスタQ3 のドレイン端子より取り出すこれにより、発振用MOSトランジスタQ1 へのDCバイアス供給用のインダクタンスLD が、発振用MOSトランジスタQ1 から分離されるので、インピーダンスを小さくできる。或いは、DCバイアス供給回路のチョークインダクタをMOSトランジスタQ4 と抵抗R1 ,R2 とだけで置き換えることが出来るので、小型化を図れることができる。

請求項（抜粋）：

発振用の第1のMOS電界効果トランジスタのソース電極に、直流電流源として動作する第2のMOS電界効果トランジスタのドレイン電極を接続し、前記発振用MOS電界効果トランジスタのドレイン電極に第3のMOS電界効果トランジスタのソース電極を接続し、前記第3のMOS電界効果トランジスタのゲート電極を高周波的に接地しゲート接地型MOS電界効果トランジスタとして増幅作用を持たせ、前記第3のMOS電界効果トランジスタのドレイン電極より発振出力を取り出すことを特徴とするトランジスタ発振器。