特許
J-GLOBAL ID：200903070104353456
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-319871
公開番号（公開出願番号）：特開平6-169022
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：
【要約】【目的】 スルーホール孔5を介して第1アルミ配線3に接続された第2アルミ配線14を、スルーホール部と配線部とで金属膜の構成を異なって形成することを可能にして、信頼性の向上した半導体装置を得る。【構成】 シリコン基板1上に形成された第1アルミ配線3上に層間絶縁膜4を形成した後第1の金属層12を形成し、第1の金属層13と層間絶縁膜14に開口部を形成してスルーホール孔5を設け、スルーホール孔5を埋め込むように第2の金属層13を形成することにより、スルーホール部は第2の金属層13,配線部は第1の金属層12と第2の金属層13とから成る第2アルミ配線14を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、導電層と、その上に形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜に設けられた接続孔と、この接続孔を介して上記導電層と接続するように上記層間絶縁膜上に形成された金属配線層とを備えた半導体装置において、上記金属配線層が、上記層間絶縁膜上に形成され、上記接続孔と開口を同じくする開口部を有する第1の金属層と、少なくとも上記接続孔内および上記第1の金属層の開口部内に形成された第2の金属層とによって構成されることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
