特許

J-GLOBAL ID：200903070109771892

バンプ形成法

発明者： 佐藤 哲夫
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-338421
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229091
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】 バンプの形成方法において、工程が短く、短手番の有機膜の窓明け方法を得る。【解決手段】 半導体素子であるウエハー1上のパッド電極上に、バンプを形成するに当たって、有機膜の窓明け工程をエキシマレ-ザ光50を照射する事によって開口部を形成する。

請求項（抜粋）：

パッド電極が形成された半導体ウェハ-上にバンプを形成するバンプ形成法において、該ウェハ-上に有機膜を塗布する工程と、該有機膜を乾燥する工程と、該有機膜をエキシマレ-ザで略電極パッド上の該有機膜を除去する工程を含むことを特徴とするバンプ形成法。

IPC (4件)：

H01L 21/321 ,  B23K 26/00 330 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/60 311

FI (5件)：

H01L 21/92 604 S ,  B23K 26/00 330 ,  H01L 21/312 B ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 604 B