特許

J-GLOBAL ID：200903070110704511

半導体記憶装置

発明者： 名取 克晃 ,  江口 和弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-313350
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169862
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 書き込み消去の繰り返しによる劣化が起きず、動作電圧も低い不揮発性の半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】 強誘電体薄膜が(Sr1-x Bax )Nb2 O6 又は(Sr1-x Bax)2 Nb2 O7 (ただし0.1≦x≦0.9)であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

(Sr1-x Bax )Nb2 O6 および(Sr1-x Bax )2Nb2 O7 (ただし0.1≦x≦0.9)のいずれかで示される組成からなる強誘電体薄膜を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 325 J