特許
J-GLOBAL ID：200903070111233504
基板処理装置のクリーニング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-175949
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012466
出願日： 1998年06月23日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 簡便でありながら過度のクリーニングを防止して、処理室内部および内部に設置の治具に対するダメージを最小にする。【解決手段】 縦型減圧CVD装置の処理室を形成するアウター/インナーチューブ内にクリーニング用ガス(ClF3ガス)を導入して内部堆積物を除去する際に、ClF3ガスの上流側(ボトム領域)の設定温度17aより下流側(トップ領域)の設定温度15aを高くしてエッチングする。ついで中央部分(センター領域)の内部温度が、ClF3ガスと堆積物の反応により上昇した時点(ポイント(g))で、ボトム領域とトップ領域の温度関係を逆転させてエッチングする。各領域の内部温度が対応する設定温度(ポイント(h),(i),(j))になった後、ClF3ガスを停止する。温度の時間的変更によってエッチング均一性が向上して、内部温度を監視することで過剰エッチングが避けられる。
請求項（抜粋）：
基板を処理する処理室を有する基板処理装置のクリーニング方法において、前記処理室にクリーニング用ガスを流し、前記処理室の内壁および前記処理室内部に設置された治具に付着した被クリーニング物質を除去するクリーニングに際して、少なくとも前記クリーニング用ガスの上流部と下流部に位置する前記処理室の各領域の設定温度を、それぞれ時間的に互いに異なるように変化させてクリーニングを行うことを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
H01L 21/205
, C23C 16/44 J
, C23F 4/00 A
, H01L 21/302 N
4K030DA06
, 4K030JA10
, 4K030KA41
, 4K057DA01
, 4K057DC10
, 5F004AA15
, 5F004BA19
, 5F004BC08
, 5F004BD04
, 5F004CA01
, 5F004CA09
, 5F004DA00
, 5F045AC02
, 5F045BB14
, 5F045EB06
, 5F045EC02
, 5F045EK20
, 5F045EK22
, 5F045EK27
