特許
J-GLOBAL ID：200903070123393183
固体撮像素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-241182
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099610
出願日： 1993年09月28日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 垂直レジスタの最終段にある信号電荷を水平レジスタ間の転送領域に転送するまでの電荷転送時間を長くとれるようにして、水平レジスタ間の転送効率を向上させると共に、縦すじ不良率を大幅に低減させる。【構成】 イメージ部とストレージ部を有するフレーム・インターライン転送方式のイメージセンサにおいて、ストレージ部における垂直レジスタ15の最終段と第1の水平レジスタH1間に、垂直レジスタ15の最終段に転送された信号電荷を第1の水平レジスタH1に転送するための第1及び第2のVH転送領域16a及び16bを形成する。そして、これらVH転送領域16a及び16b下に選択的なP形不純物の高エネルギーのイオン注入によって、P形の不純物拡散領域18a及び18bをそれぞれ形成し、第1及び第2のVH転送領域16a及び16bにおけるポテンシャル分布が第1の水平レジスタH1に向かって下り傾斜となるように設定して構成する。
請求項（抜粋）：
入射光量に応じた量の電荷に光電変換する受光部が多数マトリクス状に配列され、これら多数の受光部のうち、列方向に配列された上記受光部に対して共通とされた垂直レジスタが多数本、行方向に配列され、上記行方向に配列された複数本の垂直レジスタに対して共通とされた水平レジスタが複数本配列された固体撮像素子において、上記垂直レジスタの最終段と上記水平レジスタ間の転送領域上に2本の転送電極を有し、これら転送電極下のポテンシャル分布が上記水平レジスタ側に向かって下り傾斜とされていることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
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