特許
J-GLOBAL ID：200903070152314756
低抵抗薄膜の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丹羽 宏之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-301099
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144389
出願日： 1998年10月22日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：
【要約】【課題】 アークイオンプレーティング装置で、低抵抗値の透明導電膜を成膜できるようにする。【解決手段】 真空容器6内にArガスを導入し、直流電源5によりカソード2とハース(アノード)7間に高電圧を与えて放電させ、放電プラズマ流13を発生させる。そして、ハース7上の膜材料15を蒸発させて基板12の表面に付着させる。その際、RF電源16によりハース7にRFバイアス電圧を加えて放電させる。
請求項（抜粋）：
アークイオンプレーティング装置により基板に低抵抗薄膜を成膜させる方法であって、前記アークイオンプレーティング装置のアノード電極とカソード電極の何れかに高周波のバイアス電圧を加えて放電させることを特徴とする低抵抗薄膜の作製方法。
Fターム (7件)：
4K029AA04
, 4K029BA46
, 4K029BA50
, 4K029BC09
, 4K029CA03
, 4K029CA13
, 4K029DD02
