特許
J-GLOBAL ID：200903070153094504
半導体プロセス装置及びその使用方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-237989
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094571
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 半導体プロセス装置及びその使用方法に関し、ガスを流す成長室や加工室などの反応室から超高真空の評価室へウエハを移送する際、超高真空の評価室やウエハの汚染を防ぎ、成長或いは加工した半導体層表面を原子レベルで評価することを可能にし、成長条件や加工条件を精密に決定できるようにする。【構成】 排気装置24をもつ反応室3にウエハ10をセットして必要とする気体を供給して半導体の成長や加工を行い、バルブ5Cを開き、排気装置23で予め排気されて反応室3の圧力に比較して若干高い圧力に維持された中間室11にウエハ10を移送し、バルブ5Cを閉じ、中間室11の圧力を低下させてからバルブ5Dを開き、ウエハ交換室2にウエハ10を移送し、バルブ5Dを閉じ、バルブ5Bを開き、評価室4にウエハ10を移送し、バルブ5Bを閉じ、例えばSTMを用い超高真空中でウエハ10の評価を行なうようにする。
請求項（抜粋）：
ウエハ交換室とバルブを介して連結され独立した排気装置で排気可能な中間室と、前記中間室とバルブを介して連結され独立した排気装置で排気可能であって且つ気体が供給されて半導体の成長或いは加工を行う反応室と、前記ウエハ交換室とバルブを介して連結され独立した排気装置で排気可能な超高真空を必要とする評価室とを備えてなることを特徴とする半導体プロセス装置。
IPC (2件)：
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