特許

J-GLOBAL ID：200903070163348687

静電吸着装置

発明者： 星野 正和 ,  宮 豪 ,  瀬戸山 英嗣 ,  石黒 浩二 ,  村上 元
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128994
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330219
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 裏面付着異物が少なく、効率的に、かつ均一にウエハの温度制御が可能な半導体製造装置用の静電吸着装置を実現する。【解決手段】 本発明の静電吸着装置は、ウエハ10と静電吸着装置との間の熱通過率を高めるために、静電吸着装置の冷却ガス流路9を介して、中央部のHeガス供給孔12から流すHeガスの流路となる溝部14の深さhを、中心部から外周側に向かって浅くしてある。このようにすることにより、中心部での大きな流路抵抗が小さくなり、Heガス圧力が均一になるので、熱通過率も均一になる。そのため、ウエハ温度を均一に制御できるようになり、半導体成膜装置における歩留まり向上などの効果が期待できる。

請求項（抜粋）：

被処理ウエハを静電気力により吸着部に吸着すると共に、ウエハ裏面と吸着部表面に設けた凹部との空隙部に、ヘリウム等の冷却媒体を導入してウエハ温度を制御する静電吸着装置において、前記吸着部表面は、前記導入した冷却媒体の圧力を所望の圧力分布になるように、前記凹部の深さがウエハの半径方向に変化していることを特徴とする静電吸着装置。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  B23Q 3/15 ,  H02N 13/00

FI (3件)：

H01L 21/68 R ,  B23Q 3/15 D ,  H02N 13/00 D