特許
J-GLOBAL ID：200903070171576788
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-184983
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045856
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 固体撮像素子のフォトダイオード部の欠陥領域にも弗素原子を導入することでフォトダイオード部の電気的特性を改善する。【構成】 フォトダイオード部9形成のための不純物と弗素原子をイオン注入で基板1内へ導入することである。一つは正孔蓄積層の形成前に熱処理を行うことにより弗素を熱拡散でフォトダイオード部9の欠陥層に移動させる方法であり、このときには正孔蓄積層の注入を行う前に弗素注入と熱処理を行うことに特徴がある。またもう一つの方法はフォトダイオード部9形成のための注入により形成されたダメージ領域の近くに弗素原子が到達する深さまで高い注入エネルギーでフォトダイオード部9形成のために注入量に比べて十分少ない量の弗素原子のイオン注入によりフォトダイオード部9の欠陥層11に弗素を導入する方法である。
請求項（抜粋）：
半導体基板にフォトダイオード部を形成するための不純物を注入する工程と、前記フォトダイオード部に反対導電性の表面電荷蓄積層を形成する工程の前に弗素原子の注入と450°C以上の熱処理を行う工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 B
