特許

J-GLOBAL ID：200903070175381337

化学増幅レジスト用単量体、化学増幅レジスト用重合体、化学増幅レジスト組成物、パターン形成方法

発明者： 前田 勝美 ,  中野 嘉一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394173
公開番号（公開出願番号）：特開2003-064131
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】220nm以下の光に対する光透明性が高く、エッチング耐性が高く、基板密着性に優れた化学増幅レジストを提供する。【解決手段】少なくとも下記一般式(I)で表される3-オキソ-4-オキサビシクロ[3.2.1]オクタン-2-イルを有する基により置換されたビニル重合体を用いて、化学増幅レジストを調製する。【化1】(式中、L1〜L6は独立に水素または炭素数1〜8のアルキル基を表し、L5及びL6は互いにつながり環を形成する炭素数1〜10のアルキレン基でもよい。)

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)で表される3-オキソ-4-オキサビシクロ[3.2.1]オクタン-2-イル基を有するビニル単量体よりなる化学増幅レジスト用単量体。【化1】(式中、L1〜L6は独立に水素または炭素数1〜8のアルキル基を表し、L5及びL6は互いにつながり環を形成する炭素数1〜10のアルキレン基でもよい。)

IPC (5件)：

C08F 20/28 ,  C07D311/00 ,  C08F 32/04 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C08F 20/28 ,  C07D311/00 ,  C08F 32/04 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (39件)：

2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4C062KK03 ,  4J100AK32R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AR09Q ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA20Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC12Q ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA36 ,  4J100DA62 ,  4J100JA38