特許
J-GLOBAL ID:200903070177639927

発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 清路 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-263878
公開番号(公開出願番号):特開2003-078165
出願日: 2001年08月31日
公開日(公表日): 2003年03月14日
要約:
【要約】【課題】 簡便に製造することができ、従来に比べて発光効率が高く、また、使用による劣化がより少なく寿命が長い発光素子を提供する。更に、白色発光が可能な発光素子及びフルカラー発光が可能な発光素子を提供する。【解決手段】 n型Si(111)基板11上に、炭化ケイ素結晶からなる中間層15をエピタキシャル成長させ、更に、この中間層15上にp型AlGaN半導体層部121、GaN結晶層部122、及び、n型AlGaN半導体層部123の各々この順でエピタキシャル成長させて積層し、3層からなる13族元素窒化物発光ダイオード層12を形成する。次いで、13族元素窒化物発光ダイオード層12表面から、青色蛍光体層部131、緑色蛍光体層部132及び赤色蛍光体層部133を各々この順でエピタキシャル成長させて積層し、3層からなる酸化亜鉛結晶蛍光体層13を形成し、下部電極141及び上部電極142を形成して得る。
請求項(抜粋):
13族元素窒化物発光ダイオード層と、該13族元素窒化物発光ダイオード層表面からエピタキシャル成長した酸化亜鉛結晶蛍光体層とを備えることを特徴とする発光素子。
FI (2件):
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 F
Fターム (12件):
5F041AA42 ,  5F041AA44 ,  5F041CA08 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CB36 ,  5F041EE25 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11

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