特許
J-GLOBAL ID：200903070180959444
磁場制御によるレジスト現像方法、レジスト現像装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-152793
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186161
出願日： 1998年06月02日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェーハ面内において現像されたレジストプロファイルの均一性を改善できる方法を提供する。【解決手段】 半導体基板(10)上に形成された下地層上にレジストを塗布し、レジストを露光し、レジストにアルカリ現像液を接触させ、アルカリ現像液に磁場(B)を印加しながら現像することによりレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして半導体基板(10)上の下地層をエッチングすることにより、半導体装置を製造する。
請求項（抜粋）：
被処理物上にレジストを塗布する工程と、レジストを露光する工程と、レジストにアルカリ現像液を接触させ、アルカリ現像液に磁場を印加しながら現像する工程とを具備したことを特徴とするレジスト現像方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, B05C 11/08
, B05D 1/32
, G03F 7/30
H01L 21/30 564 D
, B05C 11/08
, B05D 1/32 Z
, G03F 7/30
