特許

J-GLOBAL ID：200903070181109800

半導体装置

発明者： 安達 和広 ,  四戸 孝 ,  ルディ・オノ ,  西尾 譲司
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-122249
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327824
出願日： 2003年04月25日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】埋め込み層の表面形状を最適化することができ、高い耐圧と低いオン抵抗の両方を満足する。【解決手段】SiCを構成材料とし、第1の電極から第2の電極までの間のドリフト層に該ドリフト層とは導電型の異なる複数の埋め込み層を設けた半導体装置であって、埋め込み層は孤立の円形であり、埋め込み層の幅wと間隔sとの関係を1≦s/w≦2,1μm≦s≦3μm、又は2≦s/w≦3,1μm≦s≦2μmの範囲に設定した。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素(SiC)を構成材料とし、第1の電極から第2の電極までの間のドリフト層に該ドリフト層とは導電型の異なる複数の埋め込み層を設けた半導体装置であって、 前記埋め込み層の平面形状は孤立の円形であり、埋め込み層の幅wと間隔sとの関係は、寸法率s/wと間隔s(μm)が1≦s/w≦2,1≦s≦3、又は2<s/w≦3,1≦s≦2であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L29/80 ,  H01L29/872

FI (4件)：

H01L29/48 D ,  H01L29/06 301D ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/80 V

Fターム (17件)：

4M104AA03 ,  4M104CC03 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F102FA01 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC09 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GM02 ,  5F102GR07 ,  5F102HC07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• SiC半導体基板とその製造方法及びSiC半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-295028   出願人：株式会社東芝
• 半導体構成素子用の縁構造及びドリフト領域体及び半導体構成素子用の縁構造及びドリフト領域体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-245543   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-140546   出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社