特許

J-GLOBAL ID：200903070181180300

ウェーハの製造方法及び研磨装置並びにウェーハ

発明者： 祢津 茂義 ,  桝村 寿
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001009240
公開番号（公開出願番号）：WO2002-035593
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2002年05月02日
要約：

ウェーハ外周部のダレを制御し、特に近年要求されているナノトポロジーの値を良くしたウェーハの製造方法及び研磨装置並びにウェーハを提供する。ウェーハ表面を鏡面化する研磨工程において、ウェーハの基準面を出すためにウェーハの裏面研磨を行うようにした。

請求項（抜粋）：

ウェーハ表面を鏡面化する研磨工程において、ウェーハの基準面を出すためにウェーハの裏面研磨を行うことを特徴とするウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  B24B7/22

FI (3件)：

H01L21/304 621A ,  H01L21/304 622H ,  B24B7/22 Z